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專利號:200810089769
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用于等離子體增強型化學氣相沉積工藝的等離子體感應電荷損壞的控制

本發明涉及用于等離子體增強型化學氣相沉積工藝的等離子體感應電荷損壞的控制的方法。這些方法減少或防止等離子體感應電荷由于無定形碳薄膜的沉積而損壞襯底。在一方面,在低RF功率等級和/或低無定形碳的烴化合物/惰性氣體流速比率的條件下,在無定形碳的塊層沉積之前沉積無定形碳起始層。在起始層沉積之后,RF功率、烴流速和惰性氣體流速可以變化到用于塊層沉積的最終值,其中該RF功率爬坡速率通常大于烴化合物和惰性氣體的爬坡速率。另一方面,最小化等離子體感應電荷損壞的方法包括在一個或多個腔室中的襯底上沉積無定形碳薄膜之前,在一個或多個腔室的內表面上沉積適應層,或在制造過程中使用氧化層或電介質層涂覆內表面。

用于等離子體增強型化學氣相沉積工藝的等離子體感應電荷損壞的控制

一種沉積無定形碳薄膜的方法,其特征在于,該方法包括:    引入烴化合物到腔室;    在含有約0.01W/cm↑[2]和約2W/cm↑[2]之間的第一功率等級的RF功率下反應一段時間,以在所述腔室中的襯底上沉積無定形碳薄膜的起始層;    在所述起始層上在第二RF功率等級沉積塊無定形碳薄膜,其中所述第二功率等級大于所述第一功率等級。
 


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專利號: 200810089769
申請日: 2008年4月10日
公開/公告日: 2008年10月15日
授權公告日:
申請人/專利權人: 應用材料股份有限公司
國家/省市: 美國(US)
郵編:
發明/設計人: 光得·道格拉斯·李、馬修·斯伯勒、馬丁·杰·西蒙斯、溫蒂·H·葉、博·恒·金、穆罕默德·阿尤布、埃米爾·阿拉-巴亞提、德里克·R·維迪、伊沙姆·邁'薩德
代理人: 徐金國
專利代理機構: 機械工業部知識產權事務中心(11006)
專利代理機構地址: 北京市阜城門外百萬莊南里1號(100037)
專利類型: 發明
公開號: 101285174
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 美國2007年4月10日11/733,531
審批歷史:
附圖數: 4
頁數: 9
權利要求項數: 3
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